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      產品中心

      12位ADC OTP

      Part No. IRC VDD ILRC ROM RAM I/O TIMER STACK ADC PWM E2 Package
      HS26P10 16MHz 2.2~5.0V 32K 2K 128 6/12/14
      /16/18
      2*8bit 1*16bit 8 (5+1)*12bit 3*8bit - SOP8/SOP14
      /SOP16/SOP18
      /SOP20/DIP8
      /DIP14/DIP16
      /DIP18/DIP20
      /TSSOP20

      產品簡介:

             HS26P10是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機,它內部包含一個2K*16-bit的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM)。



      CPU特性:

              ◆ 除了跳轉指令2個指令周期外,其他指令都是一個指令周期

              ◆ 2K*16位片內ROM

              ◆ 可直接、間接尋址

              ◆ 3個8位定時器:

                    TC0:外部事件計數器/PWM0/ Buzzer輸出。

                    TC1:外部事件計數器/PWM1/ Buzzer輸出。 

                    TC2:外部事件計數器/PWM2/ Buzzer輸出 

              ◆  內置上電復位,掉電復位

              ◆  內置上電復位時間PWRT和振蕩器起振時間OSCT

              ◆  內置可預分頻WDT

              ◆  四種振蕩模式
                    內置高速振蕩器16MHz

                    內置低速振蕩器32K

                    外置高速晶體振蕩器4MHz~16MHz

                    外置低速晶體振蕩器32.768KHz

              ◆  一個安全位(代碼寄存器中)保護程序不被讀出

              ◆  128*8 bit SRAM

              ◆  3組標準雙向I/O端口

              ◆  8級用于子程序嵌套的堆棧

              ◆  6種可用中斷

                    4個內部中斷:TC0、TC1、TC2、ADC

              ◆  2個外部中斷:INT0,INT1

              ◆  ADC

                    5個外部ADC輸入

                    1個內部電池檢測

                    內部AD參考電壓(VDD、4V、3V、2V)



      了解更多

      HS26P10E 16MHz 2.2~5.0V 32K 2K 128 6/14/16 2*8bit 1*16bit 8 (5+1)*12bit 3*8bit 256*8 SOP8/SOP16
      /SOP20

      產品簡介:

             HS26P10E是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機,它內部包含一個2K*16-bit的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM)。



      CPU特性:

              ◆   除了跳轉指令2個指令周期外,其他指令都是一個指令周期

              ◆   2K*16位片內ROM
              ◆   可直接、間接尋址
              ◆   3個8位定時器:

                      TC0:外部事件計數器/PWM0/ Buzzer輸出。

                      TC1:外部事件計數器/PWM1/ Buzzer輸出。 

                      TC2:外部事件計數器/PWM2/ Buzzer輸出 

              ◆  內置上電復位,掉電復位

              ◆  內置上電復位時間PWRT和振蕩器起振時間OSCT

              ◆  內置可預分頻WDT

              ◆  四種振蕩模式

                     內置高速振蕩器16MHz

                     內置低速振蕩器32K

                     外置高速晶體振蕩器4MHz~16MHz

                     外置低速晶體振蕩器32.768KHz

              ◆  一個安全位(代碼寄存器中)保護程序不被讀出
              ◆  128*8 bit SRAM
              ◆  3組標準雙向I/O端口
              ◆  8級用于子程序嵌套的堆棧
              ◆  6種可用中斷

                     4個內部中斷:TC0、TC1、TC2、ADC

              ◆  2個外部中斷:INT0,INT1

              ◆  ADC

                     5個外部ADC輸入

                    1個內部電池檢測

                    內部AD參考電壓(VDD、4V、3V、2V)




      了解更多

      HS26P003E 16MHz 2.2~5.0V 32K 2K 128 16 2*8bit 1*16bit 8 (5+1)*12bit 3*8bit 256*8 TSSOP20

      產品簡介:

             HS26P003E是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機,它內部包含一個2K*16-bit的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM)。



      CPU特性:

              ◆ 除了跳轉指令2個指令周期外,其他指令都是一個指令周期

              ◆  2K*16位片內ROM

              ◆  可直接、間接尋址

              ◆  3個8位定時器:

                    TC0:外部事件計數器/PWM0/ Buzzer輸出。

                    TC1:外部事件計數器/PWM1/ Buzzer輸出。 

                    TC2:外部事件計數器/PWM2/ Buzzer輸出 

              ◆  內置上電復位,掉電復位
              ◆  內置上電復位時間PWRT和振蕩器起振時間OSCT
              ◆  內置可預分頻WDT
              ◆  四種振蕩模式

                    內置高速振蕩器16MHz

                    內置低速振蕩器32K

                    外置高速晶體振蕩器4MHz~16MHz

                    外置低速晶體振蕩器32.768KHz

              ◆  一個安全位(代碼寄存器中)保護程序不被讀出
              ◆  128*8 bit SRAM
              ◆  3組標準雙向I/O端口
              ◆  8級用于子程序嵌套的堆棧
              ◆  6種可用中斷

                     4個內部中斷:TC0、TC1、TC2、ADC

              ◆  2個外部中斷:INT0,INT1
              ◆  ADC

                     5個外部ADC輸入

                     1個內部電池檢測

                     內部AD參考電壓(VDD、4V、3V、2V)



      了解更多

      HS23P3022 16MHz 2.2~5.0V 32K 2K 128 6 2*8bit 1*16bit 8 (2+1)*12bit 3*8bit 256*8 SOP8

      產品簡介:

             HS23P3022是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機,它內部包含一個2K*16-bit的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM)。



      CPU特性:

              ◆ 除了跳轉指令2個指令周期外,其他指令都是一個指令周期

              ◆ 2K*16位片內ROM

              ◆  可直接、間接尋址

              ◆  3個8位定時器:

                    TC0:PWM0/ Buzzer輸出。

                    TC1:外部事件計數器/PWM1/ Buzzer輸出。 

                    TC2:PWM2/ Buzzer輸出 

              ◆  內置上電復位,掉電復位

              ◆  內置上電復位時間PWRT和振蕩器起振時間OSCT

              ◆  內置可預分頻WDT

              ◆  兩種振蕩模式

                    內置高速振蕩器16MHz

                    內置低速振蕩器32K

              ◆  一個安全位(代碼寄存器中)保護程序不被讀出

              ◆  128*8 bit SRAM

              ◆  3組標準雙向I/O端口

              ◆  8級用于子程序嵌套的堆棧

              ◆  5種可用中斷

                     4個內部中斷:TC0、TC1、TC2、ADC

              ◆  1個外部中斷:INT1

              ◆  ADC

                     2個外部ADC輸入

                     1個內部電池檢測

                     內部AD參考電壓(VDD、4V、3V、2V)



      了解更多

      HS23P2721 16MHz 2.2~5.0V 32K 2K 96 12 4*8bit 5 (5+1)*12bit 4*8bit - SOP14

      產品簡介:

             HS23P2721是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機,它內部包含一個12位的ADC,一個2K*16-bit的EPROM。



      CPU特性:

              ◆   除了跳轉指令2個指令周期外,其他指令都是一個指令周期

              ◆   2K*16位片內EPROM

              ◆  可直接、間接尋址

              ◆   4個8位定時器:

                    TC0:外部事件計數器/PWM0/ Buzzer輸出。

                    TC1:外部事件計數器/PWM1/ Buzzer輸出。 

                    TC2:外部事件計數器/PWM2/ Buzzer輸出 

                    TC3:外部事件計數器/PWM3(PWM占空比可配置為1/256)。

              ◆   內置上電復位,掉電復位

              ◆   內置上電復位時間PWRT和振蕩器起振時間OSCT

              ◆   內置可預分頻WDT

              ◆   兩種振蕩模式

                    內置高速振蕩器16MHz

                    內置低速振蕩器32K

              ◆   一個安全位(代碼寄存器中)保護程序不被讀出

              ◆   96*8 bit SRAM

              ◆   3組標準雙向I/O端口

              ◆   5級用于子程序嵌套的堆棧

              ◆   7種可用中斷

                     5個內部中斷:TC0、TC1、TC2、TC3、ADC

              ◆   2個外部中斷:INT0,INT1

              ◆   ADC

                     5個外部ADC輸入

                     1個內部電池檢測

                     內部AD參考電壓(VDD、4V、3V、2V)

              ◆   內置可校準16MHz振蕩器(最大可配置為24MHz頻率,且頻率可通過寄存器軟件調節)



      了解更多

      HS23P2711 16MHz 2.2~5.0V 32K 1K 96 12 4*8bit 5 (5+1)*12bit 4*8bit - SOP14

      產品簡介:

             HS23P2711是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機,它內部包含一個12位的ADC,一個1K*16-bit的EPROM。



      CPU特性:

              ◆   除了跳轉指令2個指令周期外,其他指令都是一個指令周期

              ◆   1K*16位片內EPROM

              ◆   可直接、間接尋址

              ◆   4個8位定時器:

                    TC0:外部事件計數器/PWM0/ Buzzer輸出。

                    TC1:外部事件計數器/PWM1/ Buzzer輸出。 

                    TC2:外部事件計數器/PWM2/ Buzzer輸出 

                    TC3:外部事件計數器/PWM3(PWM占空比可配置為1/256)。

              ◆   內置上電復位,掉電復位

              ◆   內置上電復位時間PWRT和振蕩器起振時間OSCT

              ◆   內置可預分頻WDT

              ◆   兩種振蕩模式

                    內置高速振蕩器16MHz

                    內置低速振蕩器32K

              ◆   一個安全位(代碼寄存器中)保護程序不被讀出

              ◆   96*8 bit SRAM

              ◆   3組標準雙向I/O端口

              ◆   5級用于子程序嵌套的堆棧

              ◆   7種可用中斷

                     5個內部中斷:TC0、TC1、TC2、TC3、ADC

              ◆   2個外部中斷:INT0,INT1

              ◆   ADC

                     5個外部ADC輸入

                     1個內部電池檢測

                     內部AD參考電壓(VDD、4V、3V、2V)

              ◆   內置可校準16MHz振蕩器(最大可配置為24MHz頻率,且頻率可通過寄存器軟件調節)



      了解更多

      HS23P2710 16MHz 2.2~5.0V 32K 1K 96 6 4*8bit 5 (3+1)*12bit 4*8bit - SOP8

      產品簡介:

             HS23P2710是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機,它內部包含一個12位的ADC,一個1K*16-bit的EPROM,一個256Byte的EEPROM。



      CPU特性:

              ◆  除了跳轉指令2個指令周期外,其他指令都是一個指令周期

              ◆  1K*16位片內EPROM

              ◆  256Byte的EEPROM

              ◆  可直接、間接尋址

              ◆  4個8位定時器:

                    TC0:PWM0/ Buzzer輸出。

                    TC1:PWM1/ Buzzer輸出。 

                    TC2:PWM2/ Buzzer輸出 

                    TC3:PWM3(PWM占空比可配置為1/256)。

              ◆  內置上電復位,掉電復位

              ◆  內置上電復位時間PWRT和振蕩器起振時間OSCT

              ◆  內置可預分頻WDT

              ◆  兩種振蕩模式

                    內置高速振蕩器16MHz

                    內置低速振蕩器32K

              ◆  一個安全位(代碼寄存器中)保護程序不被讀出

              ◆  96*8 bit SRAM

              ◆  3組標準雙向I/O端口

              ◆  5級用于子程序嵌套的堆棧

              ◆  5種可用中斷:TC0、TC1、TC2、TC3、ADC

              ◆  ADC

                     3個外部ADC輸入

                     1個內部電池檢測

                     內部AD參考電壓(VDD、4V、3V、2V)

              ◆  內置可校準16MHz振蕩器(最大可配置為24MHz頻率,且頻率可通過寄存器軟件調節)



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      HS23P3411 16MHz 2.2~5.0V 32K 2K 96 12 4*8bit 5 (5+1)*12bit 4*8bit - SOP14

      產品簡介:

             HS23P3411是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位霧化器專用芯片,它內部包含一個12位的ADC,一個2K*16-bit的EPROM。



      CPU特性:

              ◆  除了跳轉指令2個指令周期外,其他指令都是一個指令周期

              ◆  2K*16位片內EPROM

              ◆  可直接、間接尋址

              ◆  4個8位定時器:

                    TC0:外部事件計數器/PWM0/ Buzzer輸出。

                    TC1:外部事件計數器/PWM1/ Buzzer輸出。 

                    TC2:外部事件計數器/PWM2/ Buzzer輸出 

                    TC3:外部事件計數器/PWM3(PWM占空比可配置為1/256)。

              ◆  內置上電復位,掉電復位

              ◆  內置上電復位時間PWRT和振蕩器起振時間OSCT

              ◆  內置可預分頻WDT

              ◆  兩種振蕩模式

                    內置高速振蕩器16MHz

                    內置低速振蕩器32K

              ◆  一個安全位(代碼寄存器中)保護程序不被讀出

              ◆  96*8 bit SRAM

              ◆  3組標準雙向I/O端口

              ◆  5級用于子程序嵌套的堆棧

              ◆  7種可用中斷

                     5個內部中斷:TC0、TC1、TC2、TC3、ADC

              ◆  2個外部中斷:INT0,INT1

              ◆  ADC

                     5個外部ADC輸入

                     1個內部電池檢測

                     內部AD參考電壓(VDD、4V、3V、2V)

              ◆  內置可校準16MHz振蕩器(最大可配置為24MHz頻率,且頻率可通過寄存器軟件調節)

              ◆  家居霧化器專用芯片



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      HS23P2710E 16MHz 2.2~5.0V 32K 1K 96 6 4*8bit 5 (3+1)*12bit 4*8bit 256*8 SOP8

      產品簡介:

             HS23P2710E是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機,它內部包含一個12位的ADC,一個1K*16-bit的EPROM,一個256Byte的EEPROM。



      CPU特性:

              ◆ 除了跳轉指令2個指令周期外,其他指令都是一個指令周期

              ◆  1K*16位片內EPROM

              ◆  256Byte的EEPROM

              ◆  可直接、間接尋址

              ◆  4個8位定時器:

                    TC0:PWM0/ Buzzer輸出。

                    TC1:PWM1/ Buzzer輸出。 

                    TC2:PWM2/ Buzzer輸出 

                    TC3:PWM3(PWM占空比可配置為1/256)。

              ◆  內置上電復位,掉電復位

              ◆  內置上電復位時間PWRT和振蕩器起振時間OSCT

              ◆  內置可預分頻WDT

              ◆  兩種振蕩模式

                    內置高速振蕩器16MHz

                    內置低速振蕩器32K

              ◆  一個安全位(代碼寄存器中)保護程序不被讀出

              ◆  96*8 bit SRAM

              ◆  3組標準雙向I/O端口

              ◆  5級用于子程序嵌套的堆棧

              ◆  5種可用中斷:TC0、TC1、TC2、TC3、ADC

                    ADC

                     3個外部ADC輸入

                     1個內部電池檢測

                     內部AD參考電壓(VDD、4V、3V、2V)

              ◆  內置可校準16MHz振蕩器(最大可配置為24MHz頻率,且頻率可通過寄存器軟件調節)



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